178娱乐下载注册-海思进入全球半导体十强 华为“塔山计划”渗透芯片制造?

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  原标题:海思进入全球半导体十强 华为“塔山计划”渗透芯片制造?

  作者:李娜

  在过去一年,华为海思”扛着压力摸着黑”成为了华为各个业务线的“支撑”,在机构的最新报告中,这家芯片公司以49%的增长率进入全球半导体厂商排行榜的前十名。

  从全球调研机构IC Insights公布的全球前十大半导体厂排名来看,前五名分别为英特尔、三星、台积电、海力士、美光,第六至十名依序为博通、高通德州仪器、英伟达、海思。从营收增速来看,海思成长幅度最快,上半年营收达到52亿美元。而在去年同期,海思的排名为十六位。

  面对外部持续升级的打压,海思的内部调整速度也在加快。日前有消息称,华为已正式启动“塔山计划”全方位扎根半导体,并且已经开始与相关企业合作,准备建设一条完全没有美国技术的45nm的芯片生产线,预计年内建成,同时还在探索合作建立28nm的自主技术芯片生产线。

  对此,华为方面并未作出回应。但有华为内部人士对第一财经记者表示,正在探索自建或以合作形式投入的晶圆代工生产线,以保证华为各个产品线长久地运转。

  “向下扎根”半导体

  在去年的5月,主管华为芯片业务的负责人何庭波在一封内部信中表示:“华为曾经打造的备胎,一夜之间全部转正!多年心血,在一夜之间兑现为公司对于客户持续服务的承诺。是的,这些努力,已经连成一片,挽狂澜于既倒,确保了公司大部分产品的战略安全以及连续供应。”

  在遭受到外部冲击时,海思成为了华为各个产品线所倚靠的关键所在。

  海思全名是海思半导体有限公司,正式成立于2004年10月,负责华为自己的芯片设计。其中外界熟知的华为手机芯片麒麟系列就是出自海思,除了手机芯片,海思的产品还有服务器芯片(鲲鹏系列)、基站芯片、基带芯片、AI芯片等等。海思公司总部位于深圳,在北京、上海、美国硅谷和瑞典设有设计分部。

  值得注意的是,在前述公布的排名中,今年第一季度,海思取代英飞凌,排名从去年同期第十六名、攀升至第十名,成首家进入半导体前十强的大陆半导体公司。不过,IC Insights方面认为,由于受制于美国禁令的影响,海思进入前十的时间可能是短暂的。

  华为消费者业务CEO余承东在8月7日举行的中国信息化百人会上表示,Mate 40 麒麟9000芯片,很可能成为麒麟高端芯片的最后一代。他呼吁半导体产业链上的伙伴应该全方位扎根。

  在上述会议现场展示的一张PPT中显示,在“根技术”上,华为建议产业关注EDA以及IP领域、关键算法和设计能力。还有包括12寸晶圆、光掩膜、EUV光源、沉浸式系统、透镜等在内的生产设备和材料领域。而在设计与制造环节,关注IC设计能力以及IC制造和IC封测能力。其中IDM涵盖了射频、功率、模拟、存储、传感器等期间设计与制造工艺整合。

  华为内部人士表示,目前华为也在摸索自建或者合作IDM工厂的可能性。

  有消息称,华为已在内部正式启动“塔山计划”,准备建设一条完全没有美国技术的45nm的芯片生产线,包括上海微电子、沈阳芯源(芯源微)、盛美、北方华创、中微、沈阳拓荆、沈阳中科、成都南科、华海清科、北京中科信、上海凯世通(万业企业)、中科飞测、上海睿励、上海精测(精测电子)、科益虹源、中科晶源、清溢光电等数十家企业进入华为计划合作名单。

  寻找芯片关键领域投资标的

  除了芯片制造环节的动作外,从去年起,华为也开始了一系列对芯片材料领域的投资。

  据第一财经记者统计,一年内,华为在半导体领域的投资数量已经超过十家,其中就有对第三代半导体材料企业的投资。

  2019年8月,华为旗下的哈勃科技投资有限公司投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股10%。据悉,山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。

  华创证券认为,“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”,是光电子和微电子等产业的“新发动机”。碳化硅材料实现量产后,将打破国外垄断,推动国内5G芯片技术和生产能力的提升。

  此前,不少国际公司都在碳化硅领域进行投资。例如,英飞凌1.39亿美元收购了初创企业Siltectra,进一步进军碳化硅市场,另外,X-Fab、三菱、意法半导体等企业也宣布将开发更多的碳化硅功率器件。

  原中芯国际创始人兼CEO、上海新昇总经理,现芯恩(青岛)创始人兼董事长张汝京在一场线上会议中表示,美国对于中国的制约能力没有那么强,相信能够追得上。

  “第三代半导体,IDM现在是主流,Foundry也有机会,但对于设计公司来说需要找到一个可以长期合作的Foundry。”张汝京表示,第三代半导体材料的应用会以碳化硅为重点,这是一个非常好的材料,但它生产的三个阶段都可能遇到瓶颈。一是碳化硅的单晶,二是生产外延片,三是生产各种功率的半导体,但材料制造的环节中国的技术相对比较弱。

  同时,张汝京提到,短期的人才差距是一个弱点。

  《中国集成电路产业人才白皮书(2017-2018)》指出,到2020年前后,我国集成电路行业人才需求规模约72万人,而我国现有人才存量40万人,人才缺口将达32万人。

  ”智能半导体从第二代半导体进入到第三代半导体的时代,不管是弯道超车还是半道超车,我们希望在一个新的时代实现领先。天下没有做不成的事情,只有不够大的决心和不够大的投入。”余承东说。

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责任编辑:陈志杰

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